[发明专利]存储器装置及其制造方法

说明书

本发明提出了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置的制造方法，该方法包含形成氧化物层于半导体基底上，形成隔离结构于半导体基底和氧化物层中，隔离结构定义出主动区，形成字线和位线于半导体基底中，其中位线位于字线上方，移除氧化物层，形成凹陷部位于隔离结构与位线之间，以及形成储存节点接点于凹陷部内。此外，由俯视观之，存储器装置包含的储存节点接点与相对应的主动区重叠。

技术领域

本发明有关于半导体装置，特别有关于存储器装置及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)是各种电子产品应用常见的半导体装置，动态随机存取存储器具有多个单元胞(unit cell)，每一个单元胞包含电容器和晶体管，电容器用于暂时地储存数据，晶体管作为控制读取和写入数据的开关。晶体管的源极连接至位线(bit line)，晶体管的栅极连接至字线(word line)，晶体管回应来自字线的控制信号而传递位线与电容器之间的数据。

近年来，为了加速半导体装置的操作速度和满足半导体装置微缩化的需求，需要提高动态随机存取存储器的积体密度。然而，增加动态随机存取存储器的积体密度使得存储器的工艺更复杂且困难。因此，对于持续微缩化的存储器的制造仍存在许多需要克服的问题。

发明内容

在存储器装置中，储存节点接点(storage node contact)与主动区(activearea)的重叠随着持续微缩化而成为一项挑战。依据本发明实施例，提供存储器装置的制造方法，使得储存节点接点与相对应的主动区重叠，储存节点接点可以完全位于相对应的主动区范围内，而且储存节点接点与相对应的主动区之间可以达到零偏移。同时，此制造方法不需要针对储存节点接点形成额外的遮罩，因此可以简化存储器装置的工艺步骤。

在一些实施例中，提供存储器装置的制造方法，此制造方法包含形成氧化物层于半导体基底上；形成隔离结构于半导体基底和氧化物层中，隔离结构定义出主动区；形成字线和位线于半导体基底中，其中位线位于字线上方；移除氧化物层，以形成凹陷部位于隔离结构与位线之间；以及形成储存节点接点于凹陷部内。

在一些实施例中，提供存储器装置，其包含半导体基底，具有隔离结构设置于其中且定义出主动区；字线和位线设置于半导体基底中，其中位线位于字线上方；以及储存节点接点设置于隔离结构与位线之间，其中由俯视观之，储存节点接点与相对应的主动区重叠。

依据本发明的一些实施例，隔离结构的上层的第二介电部可由氮化硅制成，其覆盖由氧化硅制成的下层的第一介电部，因此在后续进行的各工艺步骤中，不会发生隔离结构的材料损失，可以避免存储器装置的邻近单元胞之间发生短路问题，进而提升存储器装置的良品率和可靠度。

附图说明

为了让本发明实施例的目的、特征及优点能更明显易懂，以下配合所附图式作详细说明如下：

图1显示依据本发明的一些实施例，存储器装置的局部平面示意图。

图2A-图2D、图3A-图3C、图4A-图4O和图5A-图5E显示依据本发明的一些实施例，制造存储器装置的各个阶段的剖面示意图，其中图4B、图4F、图4N为沿着图1的线B-B绘示，图4C、图4G、图4O为沿着图1的线C-C绘示，其余图式为沿着图1的线A-A绘示。

图6A-图6B显示依据本发明的另一些实施例，制造存储器装置的中间阶段的剖面示意图，其是沿着图1的线A-A绘示。

附图标号：

100～固态成像装置；

101～半导体基底；

103～氧化物层；

105～垫氮化层；

107～隔离沟槽；