[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成一氧化物层于一半导体基底上；

形成一隔离结构于该半导体基底和该氧化物层中，该隔离结构定义出一主动区；

形成一字线和一位线于该半导体基底中，其中该位线位于该字线上方；

移除部分该氧化物层，以形成一凹陷部位于该隔离结构与该位线之间；以及

形成一储存节点接点于该凹陷部内。

2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该隔离结构包括：

形成一隔离沟槽于该半导体基底和该氧化物层中；

在该隔离沟槽的一下方部分填入一第一介电材料，该第一介电材料包括氧化硅；以及

以一第二介电材料填满该隔离沟槽，该第二介电材料包括氮化硅，其中该隔离结构的顶面与该储存节点接点的顶面共平面。

3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该字线包括：

形成一字线沟槽于该半导体基底和该氧化物层中；

于该字线沟槽内形成该字线；以及

以一介电材料填满该字线沟槽，该介电材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该位线包括：

形成一位线沟槽于该半导体基底和该氧化物层中；

在该位线沟槽的侧壁形成一间隔层；

在该位线沟槽内形成该位线的一导电部；以及

以一介电材料填满该位线沟槽，该介电材料包括氮化硅，其中该位线的顶面与该储存节点接点的顶面共平面。

5.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，更包括在形成该储存节点接点之前，经由该凹陷部蚀刻该半导体基底，以形成一加深的凹陷部。

6.如权利要求5所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该储存节点接点形成在该加深的凹陷部内，且该储存节点接点包括一第一导电部及一第二导电部位于该第一导电部上方，该第一导电部的材料包括多晶硅，且该第二导电部的材料包括金属。

7.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，更包括在形成该储存节点接点之前，经由该凹陷部对该半导体基底进行一离子注入工艺，以形成一掺杂区于该凹陷部下方。

8.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一隔离结构设置于其中且定义出一主动区；

一字线和一位线，设置于该半导体基底中，其中该位线位于该字线上方；以及

一储存节点接点，设置于该隔离结构与该位线之间，其中由俯视观之，该储存节点接点与相对应的该主动区重叠，且该储存节点接点的平面轮廓与该主动区的重叠部分的平面轮廓相同。

9.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，由俯视观之，该储存节点接点的面积等于相对应的该主动区的面积。

10.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该储存节点接点的顶面与该隔离结构的顶面共平面。

11.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该位线包括一导电部及一介电盖层设置于该导电部上，该介电盖层的材料包括氮化硅，且该储存节点接点的顶面与该位线的顶面共平面。

12.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该隔离结构包括一第一介电部和一第二介电部位于该第一介电部上，该第一介电部的材料包括氧化硅，且该第二介电部的材料包括氮化硅。

13.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该储存节点接点设置于该半导体基底中，该储存节点接点包括一第一导电部及一第二导电部位于该第一导电部上方，该第一导电部的材料包括多晶硅，该第二导电部的材料包括金属。