[发明专利]一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置有效
| 申请号: | 201810509994.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN108666325B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 宫奎;徐德智;田维;古宏刚;张玉虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置,该制备方法包括:在基底上形成金属导电膜层;在金属导电膜层上形成疏水绝缘膜层;在疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层,并采用曝光工艺对光刻胶涂层进行图案化处理以形成图案化的光刻胶层;对疏水绝缘膜层进行刻蚀以形成图案化的疏水绝缘层;采用铜刻蚀液对金属导电膜层进行刻蚀以形成图案化的金属电极层。上述制备方法中,在金属导电膜层上形成有疏水绝缘膜层,光刻胶涂层与疏水绝缘膜层之间黏附性较好,在后续金属导电膜层刻蚀时,避免了刻蚀液横向钻刻而造成光刻胶层脱落,进而有利于提高TFT基板的制备良率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 tft 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板的制备方法,其特征在于,包括:在基底上形成金属导电膜层;在所述金属导电膜层上形成疏水绝缘膜层;在所述疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层,并采用曝光工艺对所述光刻胶涂层进行图案化处理以形成图案化的光刻胶层;对所述疏水绝缘膜层进行刻蚀以形成图案化的疏水绝缘层;采用碱性刻蚀液对所述金属导电膜层进行刻蚀以形成图案化的金属电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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