[发明专利]一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置，该制备方法包括：在基底上形成金属导电膜层；在金属导电膜层上形成疏水绝缘膜层；在疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用曝光工艺对光刻胶涂层进行图案化处理以形成图案化的光刻胶层；对疏水绝缘膜层进行刻蚀以形成图案化的疏水绝缘层；采用铜刻蚀液对金属导电膜层进行刻蚀以形成图案化的金属电极层。上述制备方法中，在金属导电膜层上形成有疏水绝缘膜层，光刻胶涂层与疏水绝缘膜层之间黏附性较好，在后续金属导电膜层刻蚀时，避免了刻蚀液横向钻刻而造成光刻胶层脱落，进而有利于提高TFT基板的制备良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置。

背景技术

在现有平板显示器生产技术中，已经实现产业化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT以及单晶硅TFT等，一般用于制备平板显示器的阵列基板使用最多的是非晶硅TFT。不过，随着技术的发展，现在出现了金属氧化物TFT，金属氧化物TFT具有载流子迁移率高的优点，可以使TFT做的很小，使平板显示器的分辨率提高，显示效果更好，同时使用金属氧化物TFT还可以减少特性不均现象、节省材料和降低工艺成本、工艺温度低、透明率高等优点，因此，氧化物TFT的使用备受业界关注。

目前常用的金属氧化物一般为氧化铟稼锌(IGZO)，因为金属Al刻蚀液容易损伤IGZO，所以目前金属氧化物TFT一般搭配使用Cu电极，但是当Cu电极处于高温时，Cu离子会穿越栅极绝缘层扩散到半导体中，使得薄膜晶体管性能恶化。因此业内多采用Cu扩散阻止层(barrier)防止铜的扩散，即铜电极层一般为：扩散防止层、铜，或者，扩散防止层、铜、扩散防止层，或者，铜、扩散防止层的双层或三层结构，扩散防止层通常用金属层、金属氮化物层、金属合金等，例如Ti、Mo、MoN、MoNb等。此外，目前的Cu刻蚀液一般为双氧水系刻蚀液，相较于Al刻蚀液粘度大大降低，这样就会导致在刻蚀Cu电极层时，刻蚀液渗透进光刻胶与金属界面处造成光刻胶剥落现象，从而导致Cu电极发生open(断裂、损伤)不良，进而会降低TFT的制备良率。

其中，以MoNb、Cu、MoNb三层结构的铜电极为例，在使用光刻胶掩膜作为抗刻蚀层刻蚀制作铜电极图案的过程中，MoNb金属薄膜上的光刻胶掩膜图案在刻蚀过程中经常会发生脱落的现象，从而造成制作出来的电极图案发生脱落不良。研究表明，光刻胶与金属MoNb之间的黏附性问题除了受到分子键合的影响之外，还受到其他重要因素的影响，如表面的水份就是其中的重要因素，会减少黏附性，从而造成掀胶和侧向腐蚀。在实际应用中，经常会利用表面处理技术来增加金属MoNb表面的水分子接触角，降低金属MoNb表面的亲水性。然而，在实际应用中，表面处理技术的效果并不是十分显著，金属电极图案open的现象还是会时有发生。所以，对于上述在Cu电极层制备过程中的光刻胶脱落问题亟需解决。

发明内容

本发明提供了一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置，该制备方法中，在金属导电膜层上形成有疏水绝缘膜层，光刻胶涂层与疏水绝缘膜层之间黏附性较好，在后续金属导电膜层刻蚀时，避免了铜刻蚀液横向钻刻而造成光刻胶层脱落，进而有利于提高TFT基板的制备良率。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种TFT基板的制备方法，包括：

在基底上形成金属导电膜层；

在所述金属导电膜层上形成疏水绝缘膜层；

在所述疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述光刻胶涂层进行图案化处理以形成图案化的光刻胶层；

对所述疏水绝缘膜层进行刻蚀以形成图案化的疏水绝缘层；

采用碱性刻蚀液对所述金属导电膜层进行刻蚀以形成图案化的金属电极层。