[发明专利]一种TFT基板的制备方法、TFT基板及显示装置

权利要求书

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成金属导电膜层；

在所述金属导电膜层上形成疏水绝缘膜层；

在所述疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用曝光工艺对所述光刻胶涂层进行图案化处理以形成图案化的光刻胶层；

对所述疏水绝缘膜层进行刻蚀以形成图案化的疏水绝缘层；

采用碱性刻蚀液对所述金属导电膜层进行刻蚀以形成图案化的金属电极层；

当所述金属电极层为源漏电极层时，具体包括：

在所述基底上形成源漏电极膜层；

在所述源漏电极膜层上形成所述疏水绝缘膜层；

在所述疏水绝缘膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用半曝光工艺对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理以形成图案化的光刻胶层，其中，对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理时，对所述光刻胶涂层中与需要形成所述源漏电极层相对的部位进行全部保留，对所述光刻胶涂层中与所述源漏电极层和像素电极的搭接区域相对的部位进行部分去除，并且对所述光刻胶涂层中的其余部位进行全部去除；

对所述疏水绝缘膜层进行刻蚀以去除所述疏水绝缘膜层中需要与所述源漏电极层相对之外的其他部分并形成疏水绝缘层；

采用碱性刻蚀液对所述源漏电极膜层进行刻蚀以形成图案化的所述源漏电极层；

对所述光刻胶层进行灰化处理以使所述光刻胶层中与所述源漏电极层和像素电极的搭接区域相对的部位全部去除、且所述光刻胶层中其余部位部分去除；

对所述疏水绝缘层进行刻蚀以形成用于所述源漏电极层与像素电极连接的第一过孔。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属导电膜层包括依次层叠设置在所述基底上的第一扩散防止膜层、铜膜层、第二扩散防止膜层，且所述第二扩散防止膜层位于所述铜膜层朝向所述疏水绝缘膜层的一侧。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一扩散防止膜层为金属膜层、金属氮化物膜层或金属合金膜层；

和/或，所述第二扩散防止膜层为金属膜层、金属氮化物膜层或金属合金膜层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水绝缘膜层为氮化硅膜层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏电极膜层形成之前，还包括：

在所述基底上形成图案化的栅极层；

在所述栅极层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成图案化的有源层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏电极层形成之后，还包括：

在所述源漏电极层上形成图案化的有源层；

在有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成图案化的栅极层。

7.一种采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备的TFT基板，其特征在于，包括：

形成于基底上的金属电极层；

形成于所述金属电极层上的疏水绝缘层；

当所述金属电极层为源漏电极层时，包括：

形成于所述基底上的源漏电极层；

形成于所述源漏电极层上的疏水绝缘层，其中，所述疏水绝缘层设有用于所述源漏电极层与像素电极连接的通孔。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的TFT基板。