[发明专利]单层式感应电极及其制造方法有效
| 申请号： | 201810503497.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108803924B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈俊铭 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单层式感应电极及其制造方法，其制造方法包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜。b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极。c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极。d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。本发明在跨桥结构蚀刻时，上方选用之光阻改为保护光阻，由于保护光阻在跨桥结构蚀刻后会保留，因此不需去膜制程，有效的降低制程工序，同时亦可提升光学表现。 | ||
| 搜索关键词： | 单层式 感应 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单层式感应电极制造方法，其特征在于，其包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜；b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极；c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极；d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。
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