[发明专利]单层式感应电极及其制造方法

权利要求书

1.一种单层式感应电极制造方法，其特征在于，其包括下列步骤：

a.提供一触控感应薄膜；

b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极；

c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极；

d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤；

其中，步骤d所述的程序流程中，所述第一次显影与所述镀膜制程间没有烘烤制程。

2.如权利要求1所述的单层式感应电极制造方法，其中提供的该触控感应薄膜为一氧化铟锡薄膜。

3.如权利要求2所述的单层式感应电极制造方法，其中该第一蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻、氧化铟锡蚀刻以及去膜制程。

4.如权利要求2所述的单层式感应电极制造方法，其中该第二蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻以及去膜制程。

5.一种利用权利要求1至4任一项制造方法制作的单层式感应电极，其特征在于，包括：

一薄膜层，至少具有一表面；

一第一电极，设置于该表面上，包括复数个彼此互相电性独立的电极区块；

一第二电极，设置于该表面上并与该第一电极相互电性独立；

一绝缘层，设置于该第一电极以及该第二电极上；

复数个跨桥结构，用以电性连接相邻的两个所述电极区块；以及

一保护层，设置于该跨桥结构上方，且沿着该跨桥结构边缘向外延伸一宽度。

6.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该保护层为一透明保护光阻，其厚度不小于5微米，全光穿透率大于百分之六十，光密度小于0.2。

7.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该跨桥结构为一透明导电材质，其全光穿透率大于百分之八十，光密度小于1。

8.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该宽度不小于0.01微米。

9.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该跨桥结构为一氧化铟锡、氧化铟锡复合层、导电高分子、纳米银线或碳纳米管任一种材质所制成。