[发明专利]单层式感应电极及其制造方法

说明书

本发明提供了一种单层式感应电极及其制造方法，其制造方法包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜。b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极。c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极。d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。本发明在跨桥结构蚀刻时，上方选用之光阻改为保护光阻，由于保护光阻在跨桥结构蚀刻后会保留，因此不需去膜制程，有效的降低制程工序，同时亦可提升光学表现。

技术领域

本发明之技术涉及触控装置领域，特别是指一种单层式感应电极制造方法。

背景技术

触控模组的感应电极通常是利用黄光微影以及蚀刻的方式在透明导电膜材料例如氧化铟锡(ITO)上制作感应电极结构。一般来说，目前单层式(Single Type)的感应电极制程，其跨桥结构上并无保护层存在，且由于跨桥结构上方通常会使用光学胶(OCA)与其他组件黏接，光学胶阻隔水气的能力并不优秀，会造成信赖度测试(Reliability Analysis)结果不佳。再者，因此跨桥结构较容易被用户肉眼所观察到，影响到体验感。有厂商提出利用黑色光阻进行跨桥结构反光遮蔽，然而此方式对于透明导电材会造成降低光穿透度的影响。

若想在跨桥结构上额外设置一保护层，则必须再增加：设置保护层、曝光、显影、烘烤等工序。然而，由于透明导电膜在烘烤过程中有热胀冷缩之问题，在绝缘层的制程时，容易因热固化制程导致基材收缩.造成后续进行跨桥结构蚀刻时，黄光曝光显影时对位的困难，故仍有可改良之空间。

发明内容

本发明之主要目的系提供一种光学特性优良且减少制造工序提高制造效率的感应电极制造方法。为了达到上述目的，本发明系采取以下之技术手段予以达成，其中，本发明提供一种单层式感应电极制造方法，包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜。b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极。c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极。d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方式包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。

在本发明一实施例中，该触控感应薄膜为一氧化铟锡薄膜。

在本发明一实施例中，该第一蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻、氧化铟锡蚀刻以及去膜制程。

在本发明一实施例中，该第二蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻以及去膜制程。

本发明还提供一种利用上述制造方法制作的单层式感应电极，包括：一薄膜层、一第一电极、一第二电极、一绝缘层、复数个跨桥结构以及一保护层。该薄膜层至少具有一表面。该第一电极设置于该表面上，包括复数个彼此互相电性独立的电极区块。该第二电极设置于该表面上并与该第一电极相互电性独立。该绝缘层设置于该第一电极以及该第二电极上。复数个跨桥结构用以电性连接相邻的两个所述电极区块。该保护层设置于该跨桥结构上方，且沿着该跨桥结构边缘向外延伸一宽度。

在本发明一实施例中，该保护层为一透明保护光阻，其厚度不小于5微米，全光穿透率大于百分之六十，光密度(optical density)小于0.2。

在本发明一实施例中，该跨桥结构为一透明导电材质，其全光穿透率大于百分之八十，光密度小于1。

在本发明一实施例中，该宽度不小于0.01微米。

在本发明一实施例中，该跨桥结构可为一氧化铟锡、氧化铟锡复合层、导电高分子(PEDOT)、纳米银线(silver nanowire,AgNW)或碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)等任一种材质所制成。

附图说明