[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201810500105.1 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108931672A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 石井稔二;槙平尚宏;岩崎秀和;松桥润 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。以提高的效率制造所述半导体器件。本发明的方法包括通过使电耦合到安装在半导体器件上的半导体芯片的外部端子与耦合到测试电路的探头针的尖端部分相接触，从而电耦合半导体芯片与测试电路，进行电气测试的步骤。探头针具有由基材、形成在其上的镍膜和形成在其上的并由银制成的导电膜组成的尖端部分。导电膜比镍膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体芯片 测试电路 导电膜 电耦合 探头 镍膜 制造 电气测试 外部端子 耦合到 基材 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体器件，所述半导体器件具有半导体芯片和外部端子，所述外部端子电耦到形成在所述半导体芯片的主表面上方的半导体集成电路；以及(b)使所述外部端子与测试端子的接触区接触，以测试所述半导体集成电路的电气特性，其中，所述测试端子的所述接触区具有基材、形成在所述基材上方的镍膜、以及形成在所述镍膜上方并且包括银的导电膜，以及其中，所述导电膜比所述镍膜厚。
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