[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201810500105.1 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108931672A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 石井稔二;槙平尚宏;岩崎秀和;松桥润 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体芯片 测试电路 导电膜 电耦合 探头 镍膜 制造 电气测试 外部端子 耦合到 基材 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
(a)提供半导体器件，所述半导体器件具有半导体芯片和外部端子，所述外部端子电耦到形成在所述半导体芯片的主表面上方的半导体集成电路；以及
(b)使所述外部端子与测试端子的接触区接触，以测试所述半导体集成电路的电气特性，
其中，所述测试端子的所述接触区具有基材、形成在所述基材上方的镍膜、以及形成在所述镍膜上方并且包括银的导电膜，以及
其中，所述导电膜比所述镍膜厚。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述导电膜包括具有170HV或更大的维氏硬度的银。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述导电膜包括含金刚石纳米颗粒的银。
4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述纳米颗粒的一次颗粒具有5nm或更小的粒度。
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述导电膜具有形成在所述镍膜上方的第一导电膜和形成在所述第一导电膜上方的第二导电膜，以及
其中，所述第二导电膜包括含金刚石纳米颗粒的银。
6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述第一导电膜包括具有170HV或更大的维氏硬度的银。
7.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述纳米颗粒的一次颗粒具有5nm或更小的粒度。
8.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述第二导电膜比所述第一导电膜薄。
9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述基材包括含有铜的材料。
10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述基材包括铍铜。
11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述基材包括碳钢材料。
12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述外部端子是焊球。
13.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述外部端子被焊料膜覆盖。
14.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述测试端子是探头针。
15.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述测试端子是具有扁平弹簧结构的插座端子。
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