[发明专利]包括不同类型的存储器单元的集成电路器件有效
| 申请号： | 201810466873.X | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109003977B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李吉镐;高宽协;金泓秀;林濬熙;田昌勳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B69/00 | 分类号： | H10B69/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 不同类型 存储器 单元 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的所述闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的所述可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的所述可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区，所述选择源极/漏极区电连接到所述可变电阻元件，其中所述衬底包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。
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