[发明专利]包括不同类型的存储器单元的集成电路器件

说明书

集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年6月7日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0070863号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明构思涉及电子领域，且更具体来说涉及集成电路芯片。

背景技术

集成电路器件(例如半导体器件)可分类成存储器器件及逻辑器件。存储器器件用于存储数据且可分类成易失性存储器器件及非易失性存储器器件。易失性存储器器件(例如，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM))在其电源供应中断时(例如，在电源被关断时)会丢失所存储的数据。非易失性存储器器件(例如，可编程只读存储器(programmable ROM，PROM)、可擦可编程只读存储器(erasable PROM，EPROM)、电可擦可编程只读存储器(electrically EPROM，EEPROM)及闪速存储器器件)即使在其电源供应中断时也不会丢失所存储的数据。为了实现高性能及低功耗，近来正开发下一代存储器器件(例如，磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)及相变随机存取存储器(phasechange random access memory，PRAM))。下一代存储器器件包含根据被施加的电流及/或电压而具有不同电阻值的材料，且即使电源供应中断仍会维持所述电阻值。

发明内容

集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的所述闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的所述可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的所述可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的所述上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。

集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的所述闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的所述可变电阻存储器区交叠；选择元件，被配置成控制流过所述可变电阻元件的电流；以及层间绝缘层，连续地延伸至与所述闪速存储器单元晶体管及所述选择元件二者交叠。

集成电路器件可包括：衬底；闪速存储器单元晶体管，包括设置在所述衬底上的单元栅极电极；以及外围晶体管，被配置成产生用于操作所述闪速存储器单元晶体管的信号。所述外围晶体管可包括外围栅极电极及设置在所述衬底中的外围源极/漏极区。所述集成电路器件还可包括：可变电阻元件，位于所述衬底上；以及选择晶体管，被配置成控制流过所述可变电阻元件的电流且可包括设置在所述衬底中的选择源极/漏极区。

附图说明

图1示出根据本发明构思示例性实施例的半导体器件的简化剖视图。

图2到图4示出根据本发明构思示例性实施例的图1所示第一存储器区段中的存储器单元阵列的电路图。

图5示出根据本发明构思示例性实施例的图1所示第二存储器区段中的单位存储器单元。

图6示出根据本发明构思示例性实施例的半导体器件的简化剖视图。