[发明专利]具有片内终结电路的非易失性存储器和包括其的存储器件有效
| 申请号： | 201810466576.5 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108877853B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 金恩智;朴廷埈;任政燉;郑秉勋;崔荣暾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个，在所述ODT写入模式期间使用ODT电路在数据引脚上执行ODT，并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路在控制引脚上执行ODT。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终结 电路 非易失性存储器 包括 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器(NVM)器件，包括：数据引脚；控制引脚；片内终结(ODT)引脚；以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片，其中，所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路，其中，所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个，在所述ODT写入模式期间使用ODT电路对所述数据引脚执行ODT，并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路对所述控制引脚执行ODT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810466576.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效散热防摔的计算机硬盘保护壳
- 下一篇：存储装置及其操作方法
