[发明专利]具有片内终结电路的非易失性存储器和包括其的存储器件有效
| 申请号: | 201810466576.5 | 申请日: | 2018-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN108877853B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | 金恩智;朴廷埈;任政燉;郑秉勋;崔荣暾 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 终结 电路 非易失性存储器 包括 存储 器件 | ||
1.一种非易失性存储器NVM器件,包括:
数据引脚;
控制引脚;
片内终结ODT引脚;以及
共同连接到所述数据引脚、所述控制引脚以及所述ODT引脚的多个NVM芯片,
其中,所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路,
其中,所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个,在所述ODT写入模式期间使用所述ODT电路对所述数据引脚执行ODT,并在所述ODT读取模式期间使用所述ODT电路对所述控制引脚执行所述ODT,
其中,所述控制信号指示是要执行读取操作还是写入操作,
其中,所述多个NVM芯片共同接收所述ODT信号,以及
其中,所述ODT信号指示是否将执行所述ODT。
2.如权利要求1所述的NVM器件,其中,当从所述NVM芯片中的第二NVM芯片读取数据或向第二NVM芯片写入数据时,所述ODT电路被用于执行所述ODT。
3.如权利要求1所述的NVM器件,其中,当使用芯片使能信号来取消选定所述第一NVM芯片,并且选定所述NVM芯片中的第二NVM芯片时,所述ODT电路被用于执行所述ODT。
4.如权利要求1所述的NVM器件,其中,所述NVM器件还包括用于接收数据选通信号的数据选通引脚,并且所述NVM芯片被共同连接到所述数据选通引脚。
5.如权利要求4所述的NVM器件,其中,当所述ODT信号被激活和所述控制信号被激活时,所述第一NVM芯片在所述数据选通信号的切换部分之前的所述数据选通信号的前导码部分期间激活写入ODT使能信号,并且当所述写入ODT使能信号被激活时,使用所述ODT电路对所述数据引脚和所述数据选通引脚执行所述ODT。
6.如权利要求5所述的NVM器件,其中,当所述ODT信号被去激活时,所述第一NVM芯片在所述数据选通信号的切换部分之后的所述数据选通信号的后同步码部分期间去激活所述写入ODT使能信号。
7.如权利要求1所述的NVM器件,其中,当所述ODT信号被激活并且所述控制信号被去激活时,所述第一NVM芯片在所述控制信号的切换部分之前的所述控制信号的前导码部分期间激活读取ODT使能信号,并且当所述读取ODT使能信号被激活时,使用所述ODT电路对所述控制引脚执行所述ODT。
8.如权利要求7所述的NVM器件,其中,当所述ODT信号被去激活时,所述第一NVM芯片在所述控制信号的切换部分之后的所述控制信号的后同步码部分期间去激活所述读取ODT使能信号。
9.如权利要求1所述的NVM器件,其中,所述ODT电路包括:
在电源电压和连接到所述数据引脚的第一开关之间串联连接的第一电阻器;以及
在所述电源电压和连接到所述控制引脚的第二开关之间串联连接的第二电阻器,
其中,所述第一NVM芯片在所述ODT写入模式期间导通所述第一开关并且关闭所述第二开关,
其中,所述第一NVM芯片在所述ODT读取模式期间关闭所述第一开关并且导通所述第二开关。
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