[发明专利]QLED发光显示器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810460027.7 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108598274A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 吴疆 | 申请（专利权）人： | 上海瀚莅电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 尹丽 |
| 地址： | 202150 上海市崇明区横沙乡富民*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED发光显示器件及其制备方法，所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述像素定义层上还设有用于分隔像素区域的隔离柱。通过本发明的QLED发光显示器件的制备方法制备的QLED发光显示器件，减少了空穴传输层的制备，使得量子点发光层在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了QLED发光显示器件不能图形化的问题，同时提高了QLED发光显示器件的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光显示器件 制备 像素定义层 发光层 量子点 电子传输层 空穴传输层 显示效果 像素区域 像素显示 制备过程 封装层 隔离柱 图形化 阳极层 阴极层 衬底 分隔 排布 | ||
【主权项】：
1.一种QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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