[发明专利]QLED发光显示器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810460027.7 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108598274A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 吴疆 | 申请（专利权）人： | 上海瀚莅电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 尹丽 |
| 地址： | 202150 上海市崇明区横沙乡富民*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光显示器件 制备 像素定义层 发光层 量子点 电子传输层 空穴传输层 显示效果 像素区域 像素显示 制备过程 封装层 隔离柱 图形化 阳极层 阴极层 衬底 分隔 排布 | ||
1.一种QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。
2.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层及所述像素定义层之间还设有引线层，所述引线层采用钼铝钼材料制成。
3.根据权利要求2所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层上刻蚀有阳极图案，所述引线层上刻蚀有与所述阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成。
4.根据权利要求3所述的QLED发光显示器件的制备方法，其特征在于：所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成。
5.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述像素定义层为采用聚酰亚胺材料制成的带状像素定义层。
6.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述阳极层为ITO层；所述量子点发光层采用硒化镉材料制成；所述电子传输层采用氧化锌材料制成。
7.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件为顶发光QLED发光显示器件，所述阳极层为ITO膜和Ag膜复合结构；所述阴极层为ITO层或Mg/Ag混合层。
8.根据权利要求1所述的QLED发光显示器件，其特征在于：所述QLED发光显示器件为透明QLED发光显示器件，所述阳极层为透明ITO层，所述阴极层为透明ITO层或透明Mg/Ag混合层。
9.一种QLED发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一衬底，在所述衬底上制备阳极层，并对所述阳极层进行刻蚀制备阳极图案；
S2、在所述阳极层上分别制备像素定义层及隔离柱，并分别曝光显影定义像素区域；
S3、依次在所述像素定义层上制备量子点发光层、电子传输层及阴极层，制备形成发光单元；
S4、对所述发光单元进行封装形成封装层，并最终制备QLED发光显示器件。
10.根据权利要求8所述的QLED发光显示器件的制备方法，其特征在于：所述发光单元可采用UV封装方法、Frit封装方法及TFT封装方法中的任意一种方法进行封装。
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