[发明专利]QLED发光显示器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED发光显示器件及其制备方法，所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述像素定义层上还设有用于分隔像素区域的隔离柱。通过本发明的QLED发光显示器件的制备方法制备的QLED发光显示器件，减少了空穴传输层的制备，使得量子点发光层在制备过程中可有效形成像素显示图形，解决了QLED发光显示器件不能图形化的问题，同时提高了QLED发光显示器件的显示效果。

技术领域

本发明涉及一种QLED发光显示器件及其制备方法，属于显示技术领域。

背景技术

量子点(quantum dot，简称QD)是一种有Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族或Ⅳ-Ⅵ族元素组成的纳米颗粒，受激发后可以发射荧光；同时，由于量子点材料还具有光色纯度高、发光效率高、使用寿命长等一系列优点，是一种很好的电致发光材料，在近年来被广泛使用在显示器件的制备中。

现有技术中，基于量子点的电致发光器件(QLED)通常采用类似三明治的层叠结构，请参阅图1所示，现有技术中的QLED通常具有阳极层10、空穴传输层20、量子点发光层30、电子传输层40以及阴极50。然而现有技术中的QLED由于设有空穴传输层20，而空穴传输层20在制备及使用过程中需要避免接触水氧，因此QLED在制备过程中量子点发光层30无法进行有效的刻蚀，致使现有技术中的QLED存在图形化问题，无法实现QLED发光显示器件的显示效果。

有鉴于此，确有必要提供一种新的QLED发光显示器件，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED发光显示器件及其制备方法，使用本发明的本发明的QLED发光显示器件的制备方法制得的QLED发光显示器件有效的解决了QLED图形化程度低的问题，并进一步提高了QLED发光显示器件的显示效果。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种QLED发光显示器件，所述QLED发光显示器件包括由下至上依次排布的衬底、阳极层、像素定义层、量子点发光层、电子传输层、阴极层及封装层；所述QLED发光显示器件还设有用于分隔所述像素定义层的隔离柱，所述量子点发光层、电子传输层、阴极层依次制备在所述隔离柱分隔形成的区域内，以形成于像素区域。

作为本发明的进一步改进，所述阳极层及所述像素定义层之间还设有引线层，所述引线层采用钼铝钼材料制成。

作为本发明的进一步改进，所述阳极层上刻蚀有阳极图案，所述引线层上刻蚀有与所述阳极图案对应设置的引线图案，且所述引线图案与所述阳极图案同时刻蚀而成。

作为本发明的进一步改进，所述引线图案与所述阳极图案分别刻蚀而成。

作为本发明的进一步改进，所述像素定义层为采用聚酰亚胺材料制成的带状像素定义层。

作为本发明的进一步改进，所述阳极层为ITO层；所述量子点发光层采用硒化镉材料制成；所述电子传输层采用氧化锌材料制成。

作为本发明的进一步改进，所述QLED发光显示器件为顶发光QLED发光显示器件，所述阳极层为ITO膜和Ag膜复合结构；所述阴极层为ITO层或Mg/Ag混合层。

作为本发明的进一步改进，所述QLED发光显示器件为透明QLED发光显示器件，所述阳极层为透明ITO层，所述阴极层为透明ITO层或透明Mg/Ag混合层。

为实现上述发明目的，本发明还提供了一种QLED发光显示器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供一衬底，在所述衬底上制备阳极层，并对所述阳极层进行刻蚀制备阳极图案；

S2、在所述阳极层上分别制备像素定义层及隔离柱，并分别曝光显影定义像素区域；