[发明专利]通孔结构及其形成方法

摘要

一种方法包括提供具有导电柱的衬底、位于导电柱上方的介电层和位于介电层上方的多个牺牲块，从顶视图中多个牺牲块围绕导电柱；沉积覆盖多个牺牲块的牺牲层，牺牲层具有正位于导电柱之上的凹槽；在牺牲层上方沉积硬掩模层；从凹槽的底部去除硬掩模层的部分，使用硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻凹槽的底部，从而暴露导电柱的顶面；并且在凹槽内形成导电材料，导电材料与导电柱的顶面物理接触。本发明的实施例还涉及通孔结构及其形成方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有导电柱的衬底、位于所述导电柱上方的介电层以及位于所述介电层上方的多个牺牲块，从顶视图中，所述多个牺牲块围绕所述导电柱；沉积覆盖所述多个牺牲块的牺牲层，所述牺牲层具有正位于所述导电柱之上的凹槽；在所述牺牲层上方沉积硬掩模层；从所述凹槽的底部去除所述硬掩模层的部分；使用所述硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述凹槽的底部，从而暴露所述导电柱的顶面；以及在所述凹槽内形成导电材料，所述导电材料与所述导电柱的顶面物理接触。