[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201810436344.5 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108879319B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 徐子杰;黄意雯;陈守龙;陈新纲 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其包含︰基板；半导体叠层，位于基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中半导体叠层包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面；凹槽，形成于半导体叠层内；第一电极，位于第一表面且与第一反射结构电连接；第二电极，位于第一表面且与第二反射结构电连接；以及导电层，填入该凹槽内；其中，共振腔区域可发射一辐射，且辐射自基板逸散至该半导体元件之外。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其包含︰半导体叠层，其包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该共振腔区域包含第一表面、于该第一表面的第二表面以及位于该第一表面以及该第二表面的侧壁，相较于该第二反射结构，该第一表面较接近该第一反射结构；与该第一反射结构电连接的第一电极；以及与该第二反射结构电连接的第二电极，其中该第二电极包含电极垫部位以及自该电极垫部位延伸的侧部位；其中该第一电极以及该第二电极的该电极垫部位位于该第一表面上，且该第二电极的该侧部位覆盖该共振腔区域的该侧壁。
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