[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包含︰基板；半导体叠层，位于基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中半导体叠层包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面；凹槽，形成于半导体叠层内；第一电极，位于第一表面且与第一反射结构电连接；第二电极，位于第一表面且与第二反射结构电连接；以及导电层，填入该凹槽内；其中，共振腔区域可发射一辐射，且辐射自基板逸散至该半导体元件之外。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种包含共振腔区域的半导体元件。

背景技术

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，VCSEL)可以发出一方向垂直于活性区域的光。VCSEL包含一结构，其包含一对反射镜叠层，以及位于一对反射镜叠层之间的一活性区域。一第一电极以及一第二电极分别设置于一对反射镜叠层的上侧和下侧。电流通过第一电极以及第二电极注入活性区域以使活性区域发光，且光是自上述结构发射出。

发明内容

本发明内容提供一种半导体元件，其包含︰一基板；一半导体叠层位于该基板上且包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中半导体叠层包含一第一表面、相对于第一表面的第二表面；凹槽，形成于半导体叠层内；第一电极位于第一表面且与第一反射结构电连接；第二电极位于第一表面且与第二反射结构电连接；导电层，填入凹槽内；其中共振腔区域可发射一辐射，且辐射自基板逸散至半导体元件之外。

附图说明

图1为本发明内容的第一实施例的半导体元件的俯视图；

图2为本发明内容的第一实施例的半导体元件沿着如图1的A-A’线的剖视图；

图3A至图3F为制造如图1以及图2所示的半导体元件的方法的示意图；

图4A为本发明内容的第二实施例的半导体元件的剖视图；

图4B为本发明内容的制造第二实施例的半导体元件的方法中，形成第一导电层之后的俯视图；

图5为本发明内容的第三实施例的半导体元件的剖视图；

图6A至图6F为制造如图5所示的半导体元件的方法的示意图；

图7为本发明内容的第四实施例的半导体元件的剖视图；

图8A至图8I为制造如图7所示的第四实施例的半导体元件的方法的示意图；

图9为本发明内容的第五实施例的半导体元件的剖视图；

图10为本发明内容的第六实施例的半导体元件的剖视图；

图11A为本发明内容的第七实施例的半导体元件的剖视图；

图11B为本发明内容的第八实施例的半导体元件的剖视图；

图11C为本发明内容的第九实施例的半导体元件的剖视图；

图12A为本发明内容的第十实施例的半导体元件的剖视图；

图12B为本发明内容的第十一实施例的半导体元件的剖视图；

图12C为本发明内容的第十二实施例的半导体元件的剖视图；

图13A为本发明内容的第十三实施例的半导体元件的剖视图；

图13B为本发明内容的第十四实施例的半导体元件的剖视图；

图13C为本发明内容的第十五实施例的半导体元件的剖视图；

图14为本发明内容的第十六实施例的半导体元件的剖视图；以及