[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包含︰

基板；

半导体叠层，位于该基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该半导体叠层包含第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，且该第二表面较该第一表面靠近该基板；

凹槽，形成于该半导体叠层的该第二表面一侧，以使该半导体叠层形成多个彼此分离的柱状结构；

绝缘层，覆盖该凹槽及该柱状结构并具有开孔；

导电层，覆盖该绝缘层且与该第二反射结构电连接；

孔洞，贯穿该导电层；

第一电极，位于该第一表面且与该第一反射结构电连接；以及

第二电极，位于该第一表面且与该导电层电连接；

其中，该共振腔区域可发射一辐射，且该辐射自该基板逸散至该半导体元件之外。

2.一种半导体元件，包含︰

基板；

半导体叠层，位于该基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该半导体叠层包含第一表面以及相对于该第一表面的第二表面且该第二表面较该第一表面靠近该基板；

凹槽，形成于该半导体叠层的该第二表面一侧，以形成多个彼此分离的柱状结构；

绝缘层，覆盖该凹槽及该柱状结构并具有开孔；

导电层，覆盖该绝缘层且与该第二反射结构电连接并包含透明导电氧化物；

第一电极，位于该第一表面且与该第一反射结构电连接；以及

第二电极，位于该第一表面且与该导电层电连接；

其中，该共振腔区域可发射一辐射，且该辐射自该基板逸散至该半导体元件之外。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该基板包含第一侧面，该第一电极或第二电极未覆盖该第一侧面。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该第二电极包含电极垫部位及侧部位，该电极垫部位在该共振腔区域的厚度方向与该第一反射结构以及该第二反射结构重叠。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，该第一反射结构具有侧表面，该侧部位覆盖该侧表面。

6.如权利要求1或2所述的半导体元件，还包含粘结层位于该半导体叠层及该基板之间。

7.如权利要求4所述的半导体元件，其中，该绝缘层包含第一区域以及与该第一区域分离的第二区域，且该第二电极的该侧部位位于该第一区域以及该第二区域之间。

8.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该导电层具有第三表面，面朝向该半导体叠层，该第二电极直接接触该第三表面。

9.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该半导体叠层包含一电流限制层，该电流限制层包含一导电部位以及一环绕该导电部位的绝缘部位。

10.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该基板包含第一侧面以及相对于该第一侧面的第二侧面，该共振腔区域还包含侧壁，该侧壁具有第一部位以及相对于该第一部位的第二部位，该侧壁的该第一部位较接近该第二电极且与该基板的该第一侧面相距第一距离，该侧壁的该第二部位较接近该第一电极且与该基板的该第二侧面相距第二距离，该第一距离不同于该第二距离。

11.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该第一反射结构以及该第二反射结构包含分布式布拉格反射器。

12.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该共振腔区域还包含侧壁，该导电层超出该侧壁。

13.如权利要求1所述的半导体元件，还包含粘结层填入于该孔洞。

14.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该导电层位于该第一电极与该基板之间。