[发明专利]高频低插损开关

摘要

本发明提供高频低插损开关，属于通信技术领域。包括变压器型差分电感、变压器型巴伦、电容、NMOS晶体管，变压器型差分电感包括变压器型差分电感T‑L1、变压器型差分电感T‑L2，变压器型巴伦包括变压器型巴伦BA,变压器型巴伦BT，变压器型巴伦BR，电容包括电容C、电容CA、电容CT、电容CR，NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2。本发明能够有效缓解在高频率下传统射频开关由于衬底泄露损耗而引起插入损耗的恶化。差分开关结构克服了接地键和线的寄生电感效应，采用变压器型差分电感改善了片上电感的低品质因数，更重要地是减小了电感所占芯片面积。

主权项

1.高频低插损开关，包括变压器型差分电感、变压器型巴伦、电容、NMOS晶体管，变压器型差分电感包括变压器型差分电感T‑L1、变压器型差分电感T‑L2，变压器型巴伦包括变压器型巴伦BA,变压器型巴伦BT，变压器型巴伦BR，电容包括电容C、电容CA、电容CT、电容CR，NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2；其特征在于，所述的变压器型巴伦BA的Ant+端与电容CA一端、变压器型差分电感T‑L1其中一个线圈一端电连接，变压器型差分电感T‑L1其中一个线圈另一端与NMOS晶体管M1的漏极一端、电容CT一端、变压器型巴伦BT的Tx+一端电连接；变压器型巴伦BA的Ant+端与电容C一端、变压器型差分电感T‑L2其中一个线圈一端电连接，变压器型差分电感T‑L2其中一个线圈另一端与NMOS晶体管M2漏极一端，电容CR一端，变压器型巴伦BR的Rx+端点电连接；变压器型巴伦BA的Ant‑端与电容CA另一端，电容C另一端、变压器型差分电感T‑L1其中另一个线圈一端电连接，变压器型差分电感T‑L1其中另一个线圈另一端与NMOS晶体管M1源极一端、电容CT另一端、变压器型巴伦BT的Tx‑一端电连接；其中一个电感线圈RG一端与NMOS晶体管M1的栅极端电连接，该电感线圈RG另一端设置控制电压VC_T；变压器型巴伦BA的Ant‑端与变压器型差分电感T‑L2其中另一个线圈的一端电连接，变压器型差分电感T‑L2其中另一个线圈的另一端与NMOS晶体管M2源极一端、电容CR一端、变压器型巴伦BR的Rx‑一端电连接；其中另一个电感线圈RG一端与NMOS晶体管M2的栅极端电连接，另一个电感线圈RG另一端设置控制电压VC_R。