[发明专利]一种生长晶硅的复合坩埚及制备法在审
| 申请号： | 201810382362.X | 申请日： | 2018-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN110373712A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张洪齐 | 申请（专利权）人： | 张洪齐 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610011 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以缠绕成型的C/C材料等为外壳，以钇溶胶薄膜或电熔氧化钇复材为内衬的新型坩埚。本坩埚寿命长，对晶硅污染小，性价比高，可代替石英坩埚用于制备单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 晶硅 制备 单晶硅 电熔氧化钇 缠绕成型 复合坩埚 石英坩埚 坩埚寿命 钇溶胶 复材 内衬 坩埚 薄膜 生长 污染 | ||
【主权项】：
1.一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚由外壳和各种稀土氧化物内衬组成。
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