[发明专利]一种生长晶硅的复合坩埚及制备法

权利要求书

1.一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚由外壳和各种稀土氧化物内衬组成。

2.根据权利要求1所述，一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚所述的外壳，首推C/C外壳，也可以是石英玻璃或石英陶瓷外壳。

3.根据权利要求1所述，一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚的内衬，可以是紧贴附在外壳内表面的薄膜，也可以是与外壳时分时合独立的内壳。

4.根据权利要求3所述，一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚的薄膜，是纯的钇溶胶、硅溶胶，或钇溶胶、硅溶胶与氧化钇微粉、氮化硅微粉的混合物干燥后的膜状物；

所述簿膜厚度为0.01mm～0.3mm。

5.根据权利要求3所述，一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本坩埚的内壳，是各种稀土氧化物，可以是氧化钇、氧化镧、氧化铈或它们的混合物；所述的各种稀土氧化物首选氧化钇；所述的稀土复材可以是由0～100％的电熔稀土氧化物与100～0％的二氧化硅混合后再次电熔而成；也可以由0～100％的稀土氧化物与100～0％的二氧化硅混合后电熔而成；

所述的稀土氧化物与二氧化硅的最佳重量比约为4∶1；

所述的稀土氧化物与二氧化硅的粒径为30目至80目；

所述内壳的厚度为1mm～20mm；优选厚度为5mm～10mm；

所述C/C外壳的厚度为1mm～15mm；优选厚度为3mm～5mm。

6.一种生长晶硅的复合坩埚及制备法，其特征在于：本制备法1)、采用缠绕成型素坯后再用热处理炭化转变成C/C坩埚外壳；2)、用电弧法直接在电弧坩埚机上、在C/C外壳内、利用电弧的高温和旋转产生的离心力，制备坩埚的内壳；3)、或在C/C外壳的内表面，用涂刷或喷涂的方式，形成一层溶胶层。此胶层干燥脱水成膜后即为坩埚的薄膜内衬。