[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201810380871.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108538921B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宋振;王国英 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张雨竹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可改善产生寄生电容的问题。一种薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。
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