[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；

所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极在所述衬底上的正投影与所述源电极和所述漏电极在衬底上的正投影无交叠；

所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述底栅电极靠近所述衬底一侧且与所述底栅电极电连接的导电层、与所述源电极和所述漏电极同层的辅助电极；

所述辅助电极分别与所述顶栅电极、所述导电层电连接；所述导电层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电层为透明导电层；

所述透明导电层与所述底栅电极直接接触。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述有机绝缘层靠近所述源电极和所述漏电极一侧的无机绝缘层；

所述源电极通过贯穿所述有机绝缘层和所述无机绝缘层的过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过贯穿所述有机绝缘层和所述无机绝缘层的过孔与所述漏极区接触。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机绝缘层的材料为黑色有机绝缘材料。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度在30～80nm范围内。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成第一金属薄膜、第一栅绝缘薄膜、半导体薄膜、第二栅绝缘薄膜、第二金属薄膜、光刻胶；

利用掩模板对所述光刻胶曝光，并显影后，使保留的光刻胶的形状与待形成有源层的图案一致；

以光刻胶为阻挡，连续对所述第二金属薄膜、所述第二栅绝缘薄膜、所述半导体薄膜、所述第一栅绝缘薄膜和所述第一金属薄膜进行刻蚀；

以光刻胶为阻挡，采用湿法刻蚀工艺，分别对所述第二栅绝缘薄膜、所述第一栅绝缘薄膜、所述第二金属薄膜和所述第一金属薄膜进行第二次刻蚀，使所述第二栅绝缘薄膜形成第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘薄膜形成第一栅绝缘层、所述第二金属薄膜形成顶栅电极、所述第一金属薄膜形成底栅电极，且所述第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘层、所述顶栅电极和所述底栅电极位于待形成的源电极和漏电极之间；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极在所述衬底上的正投影与所述源电极和所述漏电极在衬底上的正投影无交叠；

对所述半导体薄膜超出所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层的部分进行导体化，形成有源层，所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道层、分别位于沟道区两侧经导体化后的源极区和漏极区；

去除光刻胶，并通过一次构图工艺形成有机绝缘层；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；

通过一次构图工艺形成源电极和漏电极，所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。