[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可改善产生寄生电容的问题。一种薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有自发光、反应快、视角光、亮度高、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。由于OLED显示器依靠电流驱动，因此大的驱动电流是保证显示质量，提高分辨率的基础。

双栅结构薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)具有开态电流大、栅控能力强(亚阈特性较好)等优势，满足OLED显示器对驱动电流的要求，但存在较大的寄生电容。

目前，双栅结构TFT，如图1所示，包括依次设置于衬底10的底栅电极20、底栅绝缘层31、有源层40、源电极51和漏电极52、顶栅绝缘层32和顶栅电极60；底栅绝缘层31和顶栅绝缘层32平铺于衬底上。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，可改善产生寄生电容的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触。

可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述底栅电极靠近所述衬底一侧且与所述底栅电极电连接的导电层、与所述源电极和所述漏电极同层的辅助电极；所述辅助电极分别与所述顶栅电极、所述导电层电连接；所述导电层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

进一步可选的，所述导电层为透明导电层；所述透明导电层与所述底栅电极直接接触。

可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述有机绝缘层靠近所述源电极和所述漏电极一侧的无机绝缘层；所述源电极通过贯穿所述有机绝缘层和所述无机绝缘层的过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过贯穿所述有机绝缘层和所述无机绝缘层的过孔与所述漏极区接触。

可选的，所述有机绝缘层的材料为黑色有机绝缘材料。

可选的，所述有源层的厚度在30～80nm范围内。

第二方面，提供一种阵列基板，包括第一方面所述的薄膜晶体管。