[发明专利]半导体存储器循环冗余校验装置及半导体存储器有效
申请号: | 201810371996.5 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108288489B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/38 | 分类号: | G11C29/38 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 宋珊珊;王珺 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种半导体存储器的循环冗余校验装置及半导体存储器。循环冗余校验装置包括存储控制器,用于提供第一帧检查序列及第一数据块进行写入操作且产生第一校验读取命令;校验电路接收第一数据块被执行写入操作后传输至校验电路形成的第二数据块和第一帧检查序列,并产生循环冗余校验结果;输出控制电路用于根据第一校验读取命令和第一时钟信号分别生成输出指令和第二时钟信号;缓存电路用于根据输出指令输出循环冗余校验结果;输出电路用于接收第二时钟信号并根据第二时钟信号输出循环冗余校验结果,以使循环冗余校验结果从输出电路输出的时刻相对于第一校验读取命令延迟的时钟周期数为第一预设值,第一预设值为大于1的正整数。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 循环 冗余 校验 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器的循环冗余校验装置,其特征在于,包括:存储控制器,用于提供第一数据块并根据所述第一数据块产生第一帧检查序列,所述存储控制器对所述第一数据块进行写入操作且用于根据所述写入操作产生第一校验读取命令;校验电路,与所述存储控制器连接以接收所述第一数据块被执行写入操作后传输至所述校验电路形成的第二数据块和所述第一帧检查序列,其中,所述校验电路根据所述第二数据块产生第二帧检查序列,并且用于根据所述第一帧检查序列和所述第二帧检查序列产生循环冗余校验结果;输出控制电路,与所述存储控制器连接以接收第一校验读取命令和与所述第一校验读取命令同步的第一时钟信号,所述输出控制电路用于根据所述第一校验读取命令和所述第一时钟信号分别生成输出指令和第二时钟信号;缓存电路,分别与所述校验电路和所述输出控制电路连接以存储所述循环冗余校验结果及接收所述输出指令,所述缓存电路用于根据所述输出指令输出所述循环冗余校验结果;以及输出电路,分别与所述缓存电路和所述输出控制电路连接以接收由所述缓存电路输出的循环冗余校验结果以及接收由所述输出控制电路输出的所述第二时钟信号,所述输出电路用于根据所述第二时钟信号输出所述循环冗余校验结果,以使所述循环冗余校验结果从所述输出电路输出的时刻相对于所述第一校验读取命令延迟的时钟周期数为第一预设值,所述第一预设值为大于1的正整数。
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