[发明专利]电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统在审

专利信息
申请号: 201810368641.0 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108593198A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 丁俊 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G01L21/00 分类号: G01L21/00
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统。该电容式隔膜真空计包括:相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网;所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体;所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物,防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜上,导致压力隔膜发生永久变形或破损,提高电容式隔膜真空计的测试精度,延长电容式隔膜真空计的使用寿命,保证干刻蚀设备腔体的真空压力值稳定,提高刻蚀率均一性。
搜索关键词: 干刻蚀设备 隔膜真空计 电容式 腔体 第一腔室 第二腔室 压力隔膜 测量电极 测试系统 腔体压力 副产物 过滤网 制程 污染物附着 参考电极 第二腔体 间隔设置 使用寿命 永久变形 真空压力 均一性 刻蚀率 吸附 破损 污染物 测试 保证
【主权项】:
1.一种电容式隔膜真空计,其特征在于,包括:相邻的第一腔室(11)和第二腔室(12)、设于所述第一腔室(11)和第二腔室(12)之间的压力隔膜(13)、设于所述第一腔室(11)中的测量电极(14)、设于所述第一腔室(11)中并与测量电极(14)间隔设置的参考电极(15)以及设于所述第二腔室(12)中的过滤网(16);所述第二腔体(12)用于通入干刻蚀设备腔体的气体;所述过滤网(16)用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810368641.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top