[发明专利]电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统

说明书

本发明提供一种电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统。该电容式隔膜真空计包括：相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网；所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体；所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜上，导致压力隔膜发生永久变形或破损，提高电容式隔膜真空计的测试精度，延长电容式隔膜真空计的使用寿命，保证干刻蚀设备腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(Color Filter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度。

在液晶显示及芯片制造行业，均采用干刻蚀(Dry Etch)工艺，Dry Etch工艺需要在低压高真空的环境中进行的，通常只有10～50mTorr，所以必须要求制程腔真空压力非常稳定，需要使腔体的压力维持在某一水准。现有技术通过一电容式真空压力计通过隔膜的弯曲量来测定真空压力，由于制程中副产物容易在真空计的隔膜上附着，隔膜容易被腐蚀，而且隔膜弯曲量随着时间会发生永久变形甚至破损，即使定期手动调零，真空压力量测仍然存在一定误差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容式隔膜真空计，通过过滤网吸附制程副产物以及腔体污染物，防止制程副产物以及腔体污染物附着在压力隔膜表面，导致压力隔膜发生永久变形或破损，测试精度高，使用寿命长。

本发明的目的还在于提供一种干刻蚀设备腔体压力测试系统，始终将腔体的真空压力值维持在一标准值，保证腔体的真空压力值稳定，提高刻蚀率均一性。

为实现上述目的，本发明提供了一种电容式隔膜真空计，包括：相邻的第一腔室和第二腔室、设于所述第一腔室和第二腔室之间的压力隔膜、设于所述第一腔室中的测量电极、设于所述第一腔室中并与测量电极间隔设置的参考电极以及设于所述第二腔室中的过滤网；

所述第二腔体用于通入干刻蚀设备腔体的气体；

所述过滤网用于吸附干刻蚀设备腔体的制程副产物以及腔体污染物。

所述电容式隔膜真空计还包括设于所述第二腔室中并位于压力隔膜与过滤网之间的加热电路。

所述过滤网的材料为聚四氟乙烯。

所述压力隔膜的材料为铬镍铁合金。