[发明专利]一种调试关键尺寸均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种调试关键尺寸均匀性的方法，运用于光刻工艺中，依据关键尺寸与光刻胶的厚度的关联波浪线选取目标厚度，根据目标厚度进行试验获取厚度分布曲线，获取尺寸分布图，对目标厚度进行调整直至尺寸差异量符合光刻工艺的要求，对的光刻胶的厚度分布进行优化处理以提高光刻胶的厚度均匀性。本发明的技术方案显著提升关键尺寸的均匀性，且工艺改进的风险较小，特别适用于光刻胶厚度比较厚，对于关键尺寸要求较高的高宽比大的工艺。

主权项

1.一种调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，运用于光刻工艺中，包括以下步骤：步骤S1：依据关键尺寸与光刻胶的厚度的关联波浪线，结合所述关键尺寸的需求和所述光刻胶的厚度限制，选取所述关联波浪线中一波峰或一波谷的所述光刻胶的厚度作为目标厚度；步骤S2：根据所述目标厚度于所述光刻工艺中进行试验，获取所述光刻胶于目标硅片上的厚度分布曲线；步骤S3：根据所述厚度分布曲线和所述关联波浪线，获取尺寸分布图；步骤S4：根据所述尺寸分布图获取尺寸差异量，判断所述尺寸差异量是否符合光刻工艺的要求；若符合，则进入步骤S6；若否，则进入步骤S5；步骤S5：根据所述厚度分布曲线和所述关联波浪线对所述目标厚度进行调整，将所述目标厚度偏离所述波峰或所述波谷，返回步骤S2；步骤S6：以所述目标厚度为基准，对的所述光刻胶的厚度分布进行优化处理以提高所述光刻胶的厚度均匀性。