[发明专利]一种调试关键尺寸均匀性的方法

权利要求书

1.一种调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，运用于光刻工艺中，包括以下步骤：

步骤S1：依据关键尺寸与光刻胶的厚度的关联波浪线，结合所述关键尺寸的需求和所述光刻胶的厚度限制，选取所述关联波浪线中一波峰或一波谷的所述光刻胶的厚度作为目标厚度；

步骤S2：根据所述目标厚度于所述光刻工艺中进行试验，获取所述光刻胶于目标硅片上的厚度分布曲线；

步骤S3：根据所述厚度分布曲线和所述关联波浪线，获取尺寸分布图；

步骤S4：根据所述尺寸分布图获取尺寸差异量，判断所述尺寸差异量是否符合光刻工艺的要求；

若符合，则进入步骤S6；若否，则进入步骤S5；

步骤S5：根据所述厚度分布曲线和所述关联波浪线对所述目标厚度进行调整，将所述目标厚度偏离所述波峰或所述波谷，返回步骤S2；

步骤S6：以所述目标厚度为基准，对所述光刻胶的厚度分布进行优化处理以提高所述光刻胶的厚度均匀性。

2.根据权利要求1所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述关联波浪线采用如下方法获取：

步骤A1：采用相同的光刻工艺对不同厚度的光刻胶进行多组试验，获取第一试验数据，所述第一试验数据包括所述光刻胶的厚度的平均值和对应的所述关键尺寸的平均值；

步骤A2：根据所述第一试验数据建立第一坐标系，将所述第一试验数据转换为所述第一坐标系的第一数据点，所述第一坐标系的横轴代表所述光刻胶的厚度，所述第一坐标系的纵轴代表所述关键尺寸；

步骤A3：将每个所述第一数据点依次连接获取所述关联波浪线。

3.根据权利要求2所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤A3还包括以下步骤：

判断所述关联波浪线是否存在至少2个所述波峰和2个所述波谷；

若是，则结束；若否，则返回步骤A1。

4.根据权利要求1所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

步骤B1：将所述目标厚度作为光刻工艺的所述光刻胶的涂抹厚度，采用涂胶器对硅片进行涂胶试验；

步骤B2：测量所述硅片上每个位置的所述光刻胶的厚度，获取第二试验数据，所述第二试验数据包括硅片半径和对应的所述光刻胶的厚度；

步骤B3：根据所述第二试验数据建立第二坐标系，将所述第二试验数据转换为所述第二坐标系的第二数据点，所述第二坐标系的横轴代表所述硅片半径，所述第二坐标系的纵轴代表所述光刻胶的厚度；

步骤B4：将每个所述第二数据点依次连接获取所述厚度分布曲线。

5.根据权利要求4所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S3包括以下步骤：

步骤C1：将每个所述第二数据点的所述光刻胶的厚度代入至所述关联波浪线获取对应的所述关键尺寸；

步骤C2：将每个所述第二数据点对应的所述关键尺寸根据所述硅片半径进行排列组合，获取尺寸分布图。

6.根据权利要求1所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，以所述目标厚度作为界限将所述厚度分布曲线划分为中心区域和边缘区域，所述步骤S5包括以下步骤：

步骤D1：根据所述关联波浪线进行判断；

若所述目标厚度靠近所述波峰，则进入步骤D2；

若所述目标厚度靠近所述波谷，则进入步骤D3；

步骤D2：判断所述中心区域的平均厚度是否大于所述边缘区域的平均厚度；

若否，则进入步骤D5；若是，则进入步骤D4；

步骤D3：判断所述中心区域的平均厚度是否大于所述边缘区域的平均厚度；

若是，则进入步骤D4；若否，则进入步骤D5；

步骤D4：增大所述目标厚度；

步骤D5：减小所述目标厚度。

7.根据权利要求6所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤D4和所述步骤D5中，对于所述目标厚度的调整范围为所述波峰至相邻的波谷之间的厚度或波谷至相邻的波峰的之间的厚度。

8.根据权利要求6所述的调试关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述尺寸差异量包括各关键尺寸和关键尺寸的平均值的差值、关键尺寸的最大值与最小值的差值、关键尺寸的标准差、所述中心区域的所述关键尺寸的平均值与所述边缘区域的所述关键尺寸的平均值的差值。