[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，包括封装支架、第一绝缘层、导电基板、衬底、缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、应力释反晶格层、P型氮化镓层、第二绝缘层、上电极和下电极，所述封装支架的顶部安装有下电极，所述下电极的顶部安装有导电基板，所述下电极的外侧套接有第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部与导电基板的底部接触，所述导电基板的顶部安装有衬底，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有N型氮化镓层，所述上电极的外侧套接有第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的内部均填充有三氧化二铝层、氮化硅层和六方氮化硼层，该芯片，有利于防止漏电击穿设备。

主权项

1.一种发光二极管芯片，包括封装支架(1)、第一绝缘层(2)、导电基板(3)、衬底(4)、缓冲层(5)、N型氮化镓层(6)、多量子阱发光层(7)、应力释反晶格层(8)、P型氮化镓层(9)、第二绝缘层(10)、上电极(11)和下电极(12)，其特征在于：所述封装支架(1)的顶部安装有下电极(12)，所述下电极(12)的顶部安装有导电基板(3)，所述下电极(12)的外侧套接有第一绝缘层(2)，所述第一绝缘层(2)的顶部与导电基板(3)的底部接触，所述导电基板(3)的顶部安装有衬底(4)，所述衬底(4)的顶部设置有缓冲层(5)，所述缓冲层(5)的顶部设置有N型氮化镓层(6)，所述N型氮化镓层(6)的顶部设置有多量子阱发光层(7)，所述多量子阱发光层(7)的顶部设置有应力释反晶格层(8)，所述应力释反晶格层(8)的顶部设置有P型氮化镓层(9)，所述P型氮化镓层(9)的顶部安装有上电极(11)，所述上电极(11)的外侧套接有第二绝缘层(10)，且第二绝缘层(10)的底部与P型氮化镓层(9)的顶部接触，所述第一绝缘层(2)和第二绝缘层(10)的内部均填充有三氧化二铝层(13)、氮化硅层(14)和六方氮化硼层(15)。