[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，包括封装支架、第一绝缘层、导电基板、衬底、缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、应力释反晶格层、P型氮化镓层、第二绝缘层、上电极和下电极，所述封装支架的顶部安装有下电极，所述下电极的顶部安装有导电基板，所述下电极的外侧套接有第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部与导电基板的底部接触，所述导电基板的顶部安装有衬底，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有N型氮化镓层，所述上电极的外侧套接有第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的内部均填充有三氧化二铝层、氮化硅层和六方氮化硼层，该芯片，有利于防止漏电击穿设备。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体为一种发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

二极管，(英语：Diode)，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

芯片是二极管的重要组成部分，但是一般的芯片上都没有设置绝缘机构，这样会导致电极在工作时，产生漏电，从而使电流不稳，通过绝缘机构，有利于防止漏电击坏设备，还有一般的芯片制备方法上，酸液的配比不同，影响其工作效率，针对这种缺陷，所以我们设计一种发光二极管芯片及其制备方法，来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种发光二极管芯片，包括封装支架、第一绝缘层、导电基板、衬底、缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、应力释反晶格层、P型氮化镓层、第二绝缘层、上电极和下电极，所述封装支架的顶部安装有下电极，所述下电极的顶部安装有导电基板，所述下电极的外侧套接有第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部与导电基板的底部接触，所述导电基板的顶部安装有衬底，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的顶部设置有多量子阱发光层，所述多量子阱发光层的顶部设置有应力释反晶格层，所述应力释反晶格层的顶部设置有P型氮化镓层，所述P型氮化镓层的顶部安装有上电极，所述上电极的外侧套接有第二绝缘层，且第二绝缘层的底部与P型氮化镓层的顶部接触，所述第一绝缘层和第二绝缘层的内部均填充有三氧化二铝层、氮化硅层和六方氮化硼层。

一种发光二极管芯片制备方法，包括如下步骤：步骤一，外延片生长；步骤二，去铟球及清洗；步骤三，蒸镀；步骤四，黄光作业；步骤五，化学蚀刻；步骤六，熔合及研磨；步骤七，切割及测试；

其中在上述的步骤一中，通过MOCVD设备在真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸汽，经小孔准直后形成的分子或原子束，直接喷射到世道温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地长在基片上形成薄膜；

其中在上述的步骤二中，采用氧化铟锡腐蚀液，在33℃的条件下，腐蚀30min，外延片通过混合液进行清洗，清洗的液体温度保持在60℃，清洗30s；

其中在上述的步骤三中，通过蒸镀机或电子枪进行加热工作，形成镀膜；

其中在上述的步骤四中，通过烘烤和上光阻，再通过显影机进行曝光和显影，显影液通过喷枪射到晶片表面，被光照区域光刻胶被显影液除去，留下刻蚀区域，再利用氧气加射频氧化铟蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶；

其中在上述的步骤五中，利用酸性药水，将发光区裸露的金属层蚀刻掉；