[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括封装支架(1)、第一绝缘层(2)、导电基板(3)、衬底(4)、缓冲层(5)、N型氮化镓层(6)、多量子阱发光层(7)、应力释反晶格层(8)、P型氮化镓层(9)、第二绝缘层(10)、上电极(11)和下电极(12)，其特征在于：所述封装支架(1)的顶部安装有下电极(12)，所述下电极(12)的顶部安装有导电基板(3)，所述下电极(12)的外侧套接有第一绝缘层(2)，所述第一绝缘层(2)的顶部与导电基板(3)的底部接触，所述导电基板(3)的顶部安装有衬底(4)，所述衬底(4)的顶部设置有缓冲层(5)，所述缓冲层(5)的顶部设置有N型氮化镓层(6)，所述N型氮化镓层(6)的顶部设置有多量子阱发光层(7)，所述多量子阱发光层(7)的顶部设置有应力释反晶格层(8)，所述应力释反晶格层(8)的顶部设置有P型氮化镓层(9)，所述P型氮化镓层(9)的顶部安装有上电极(11)，所述上电极(11)的外侧套接有第二绝缘层(10)，且第二绝缘层(10)的底部与P型氮化镓层(9)的顶部接触，所述第一绝缘层(2)和第二绝缘层(10)的内部均填充有三氧化二铝层(13)、氮化硅层(14)和六方氮化硼层(15)。

2.一种发光二极管芯片制备方法，包括如下步骤：步骤一，外延片生长；步骤二，去铟球及清洗；步骤三，蒸镀；步骤四，黄光作业；步骤五，化学蚀刻；步骤六，熔合及研磨；步骤七，切割及测试；其特征在于：

其中在上述的步骤一中，通过MOCVD设备在真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸汽，经小孔准直后形成的分子或原子束，直接喷射到世道温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底(4)扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地长在基片上形成薄膜；

其中在上述的步骤二中，采用氧化铟锡腐蚀液，在33℃的条件下，腐蚀30min，外延片通过混合液进行清洗，清洗的液体温度保持在60℃，清洗30s；

其中在上述的步骤三中，通过蒸镀机或电子枪进行加热工作，形成镀膜；

其中在上述的步骤四中，通过烘烤和上光阻，再通过显影机进行曝光和显影，显影液通过喷枪射到晶片表面，被光照区域光刻胶被显影液除去，留下刻蚀区域，再利用氧气加射频氧化铟蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶；

其中在上述的步骤五中，利用酸性药水，将发光区裸露的金属层蚀刻掉；

其中在上述的步骤六中，利用熔合设备在500℃的条件下，将刻蚀好的晶片放入该项设备，时间为10min，使蒸镀金属层之间或蒸镀金属与磊晶片表层原子相互熔合，熔合后经过减薄机进行研磨；

其中在上述的步骤七中，采用冷冻裂片进行切割，将切割好的晶片用去离子水贴到冷冻机的不锈钢板上，30min后将蓝膜取下，晶片就粘到不锈钢板上，然后用去离子水将晶片冲到筛网里，用异丙醇脱水、烘干即可，再通过探针测试台和颗粒度检测仪进行测试，成为合格的芯片本体。

3.根据权利要求1的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述封装支架(1)通过导电银胶与下电极(12)连接。

4.根据权利要求1的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述三氧化二铝层(13)、氮化硅层(14)和六方氮化硼层(15)中材料的比例为1:1:1。

5.根据权利要求1的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述上电极(11)通过导电银胶与P型氮化镓层(9)连接。

6.根据权利要求2的一种发光二极管芯片制备方法，其特征在于：所述步骤二的混合液比例为H₂SO₄：H₂O₂：H₂O＝5:1:1。