[发明专利]薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件在审
| 申请号： | 201810350727.0 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108550626A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 章仟益;卢马才 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件，其中薄膜晶体管器件的制作方法包括在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中源漏极的组成材料包括Cu；对源漏极进行预干刻处理，在源漏极上形成保护层，其中保护层的组成材料包括X‑Cu成分，X表示卤元素；对具有保护层的源漏极，以及有源层进行进一步干刻处理；在经进一步干刻处理的有源层以及源漏极上，依次形成钝化层以及像素电极。该方案通过在对源漏极、有源层进行干刻处理之前，对源漏极进行预干刻处理，形成保护层，避免了源漏极中的铜被腐蚀的情况，提高了薄膜晶体管器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 薄膜晶体管器件 保护层 源层 组成材料 预干 制作 栅极绝缘层 像素电极 钝化层 卤元素 基板 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中所述源漏极的组成材料包括Cu；对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X‑Cu成分，X表示卤元素；对所述具有所述保护层的源漏极，以及所述有源层进行进一步干刻处理；在所述经进一步干刻处理的所述有源层以及所述源漏极上，依次形成钝化层以及像素电极。
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