[发明专利]薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件，其中薄膜晶体管器件的制作方法包括在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中源漏极的组成材料包括Cu；对源漏极进行预干刻处理，在源漏极上形成保护层，其中保护层的组成材料包括X‑Cu成分，X表示卤元素；对具有保护层的源漏极，以及有源层进行进一步干刻处理；在经进一步干刻处理的有源层以及源漏极上，依次形成钝化层以及像素电极。该方案通过在对源漏极、有源层进行干刻处理之前，对源漏极进行预干刻处理，形成保护层，避免了源漏极中的铜被腐蚀的情况，提高了薄膜晶体管器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是平板显示的核心器件，目前的TFT器件广泛采用底栅结构。根据制作工艺的差异，底栅结构的TFT器件一般分为BCE(Back-channel Etchant,背沟道刻蚀)型TFT器件和ESL(Etched-stopper Layer，刻蚀阻挡层)型器件。其中由于BCE型TFT器件具有制程工艺步骤少，且不会对半导体层的背沟道造成刻蚀损伤的优势，因此BCE型TFT器件得到广泛应用。

对于BCE型TFT器件，采用4次光刻(MASK)工艺可实现阵列工艺的全部流程。4次光刻工艺采用灰阶或半阶的方法，在沟道光阻灰化后进行沟道金属，然后剥离光阻进行掺杂有源层刻蚀，以改善沟道残留问题。然而，在干刻掺杂有源层的过程中，产生的等离子体会严重腐蚀裸露的源漏极线。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件，避免了源漏极中的铜被腐蚀的情况，提高了薄膜晶体管器件的稳定性。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管器件的制作方法，包括：

在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中所述源漏极的组成材料包括Cu；

对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X-Cu成分，X表示卤元素；

对所述具有所述保护层的源漏极，以及所述有源层进行进一步干刻处理；

在所述经进一步干刻处理的所述有源层以及所述源漏极上，依次形成钝化层以及像素电极。

在一些实施例中，所述X包括氟或氯中的一种或全部。

在一些实施例中，所述对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X-Cu成分，X表示卤元素步骤，包括：

通过卤素气体和氧气，生成等离子体；

通过所述等离子体对所述源漏极进行预干刻，形成所述保护层。

在一些实施例中，所述卤素气体包括六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳、氯气以及八氟环丁烷中的一种或多种。

在一些实施例中，所述卤素气体和所述氧气的比例范围为0.2-4。

在一些实施例中，所述预干刻的干刻气压范围为20-80毫托，干刻功率范围为200-4000瓦，干刻时间范围为10-100秒，干刻模式包括电感耦合等离子体干刻模式、增强电容耦合等离子体干刻模式或反应离子刻蚀干刻模式。

在一些实施例中，所述通过卤素气体和氧气，生成等离子体步骤，包括：

将三氟化氮和氧气以2:3的比例混合；

对所述以2:3比例混合的三氟化氮和氧气施加电压，产生所述等离子体；

所述通过所述等离子体对所述源漏极进行预干刻，形成所述保护层步骤包括：