[发明专利]薄膜晶体管器件的制作方法和薄膜晶体管器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中所述源漏极的组成材料包括Cu；

对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X-Cu成分，X表示卤元素；

对所述具有所述保护层的源漏极，以及所述有源层进行进一步干刻处理；

在所述经进一步干刻处理的所述有源层以及所述源漏极上，依次形成钝化层以及像素电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述X包括氟或氯中的一种或全部。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X-Cu成分，X表示卤元素步骤，包括：

通过卤素气体和氧气，生成等离子体；

通过所述等离子体对所述源漏极进行预干刻，形成所述保护层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述卤素气体包括六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳、氯气以及八氟环丁烷中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述卤素气体和所述氧气的比例范围为0.2-4。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述预干刻的干刻气压范围为20-80毫托，干刻功率范围为200-4000瓦，干刻时间范围为10-100秒，干刻模式包括电感耦合等离子体干刻模式、增强电容耦合等离子体干刻模式或反应离子刻蚀干刻模式。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述通过卤素气体和氧气，生成等离子体步骤，包括：

将三氟化氮和氧气以2:3的比例混合；

对所述以2:3比例混合的三氟化氮和氧气施加电压，产生所述等离子体；

所述通过所述等离子体对所述源漏极进行预干刻，形成所述保护层步骤包括：

在电感耦合等离子体干刻模式以及3000瓦功率下，通过所述等离子体对所述源漏极进行20秒预干刻处理。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述对所述源漏极进行预干刻处理，在所述源漏极上形成保护层，其中所述保护层的组成材料包括X-Cu成分，X表示卤元素步骤，包括：

将三氟化碳和氧气以4:1的比例混合；

对所述以4:1比例混合的三氟化碳和氧气施加电压，产生等离子体；

所述通过所述等离子体对所述源漏极进行预干刻，形成所述保护层步骤包括：

在增强电容耦合等离子体模式干刻模式以及4000瓦功率下，通过所述等离子体对所述源漏极进行30秒预干刻处理。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述对所述具有所述保护层的源漏极，以及所述有源层进行进一步干刻处理步骤包括：

将三氟化氮/氧气、四氟化碳/氧气、三氟甲烷/氧气混合气体中的一种或多种作为干刻气体；

在1000-2000瓦功率下，使用电容耦合等离子体干刻模式或者电感耦合等离子体干刻模式，通过所述干刻气体对所述具有所述保护层的源漏极，以及所述有源层进行进一步干刻处理。

10.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，所述薄膜晶体管器件采用如权利要求1-9任意一项所述的薄膜晶体器件的制作方法制成。