[发明专利]一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须在审
| 申请号： | 201810350547.2 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110387583A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张锐;赵彪;樊磊;张瑜萍;范冰冰;高前程;白中义;陈雷明;李春光;郭晓琴 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/36;C30B1/10 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 张兵兵 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须，属于高性能陶瓷材料的制备技术领域。本发明的利用界面反应制备SiC晶须的方法，包括以下步骤：1)按照碳与硅的摩尔比为1.5～3:1取硅源、碳源与硼酸混合制备二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体；所述硅源为硅酸酯或二氧化硅，所述碳源为活性炭或煤炭；2)将所得的二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体压制成片后埋入石英砂中进行微波烧结，然后除去表面包裹的石英砂，之后采用氢氟酸清洗，即得。本发明的方法能够充分利用活性炭的吸附性能形成良好的核壳结构，采用硼酸调节前驱体pH及B2O3可以加速反应的进行，微波作用可以充分利用微波烧结的耦合热效应实现SiC晶须的快速合成。 | ||
| 搜索关键词： | 晶须 硼酸 制备 二氧化硅 界面反应 前驱体 活性炭 微波烧结 石英砂 硅源 热效应 高性能陶瓷材料 制备技术领域 氢氟酸清洗 表面包裹 核壳结构 快速合成 微波作用 吸附性能 压制成片 耦合 硅酸酯 摩尔比 埋入 煤炭 | ||
【主权项】：
1.一种利用界面反应制备SiC晶须的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照碳与硅的摩尔比为1.5～3:1取硅源、碳源与硼酸混合制备二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体；所述硅源为硅酸酯或二氧化硅，所述碳源为活性炭或煤炭；2)将步骤1)所得的二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体压制成片后埋入石英砂中进行微波烧结，然后除去表面包裹的石英砂，之后采用氢氟酸清洗，即得SiC晶须。
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