[发明专利]一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须在审
| 申请号： | 201810350547.2 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110387583A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张锐;赵彪;樊磊;张瑜萍;范冰冰;高前程;白中义;陈雷明;李春光;郭晓琴 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/36;C30B1/10 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 张兵兵 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶须 硼酸 制备 二氧化硅 界面反应 前驱体 活性炭 微波烧结 石英砂 硅源 热效应 高性能陶瓷材料 制备技术领域 氢氟酸清洗 表面包裹 核壳结构 快速合成 微波作用 吸附性能 压制成片 耦合 硅酸酯 摩尔比 埋入 煤炭 | ||
1.一种利用界面反应制备SiC晶须的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)按照碳与硅的摩尔比为1.5～3:1取硅源、碳源与硼酸混合制备二氧化硅-碳-硼酸前驱体；所述硅源为硅酸酯或二氧化硅，所述碳源为活性炭或煤炭；
2)将步骤1)所得的二氧化硅-碳-硼酸前驱体压制成片后埋入石英砂中进行微波烧结，然后除去表面包裹的石英砂，之后采用氢氟酸清洗，即得SiC晶须。
2.根据权利要求1所述的制备SiC晶须的方法，其特征在于，所述二氧化硅-碳-硼酸前驱体的制备方法包括以下步骤：将硅源、碳源、硼酸混合即得。
3.根据权利要求1所述的制备SiC晶须的方法，其特征在于，所述二氧化硅-碳-硼酸前驱体的制备方法包括以下步骤：
a)将硅酸酯、乙醇、水混合，用硼酸调节pH至3～4，混匀，得混合物A；
b)向混合物A中加入碳源，混匀，用氨水调节pH为8～9，得混合物B；
c)将混合物B过滤，干燥，即得二氧化硅-碳-硼酸前驱体。
4.根据权利要求3所述的制备SiC晶须的方法，其特征在于，所述硅酸酯、乙醇、水的体积比为18～22:34～38:38～42。
5.根据权利要求1所述的制备SiC晶须的方法，其特征在于，步骤2)中压制的压力为3～10MPa。
6.根据权利要求1所述的制备SiC晶须的方法，其特征在于，步骤2)中的微波烧结为以45-70℃/min的速率升温至580～680℃，再以70～280℃/min的速率升温至950～1300℃，保温0～30min。
7.一种SiC晶须，其特征在于，采用权利要求1所述的方法制得。
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