[发明专利]一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810321648.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110364365B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 梁汉璞;杜健;李超;王西龙;陈国栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/46;H01M4/525 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 李颖;周秀梅 |
| 地址： | 266101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及电化学领域，尤其是一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法。将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150‑220℃下反应3～24h，反应后降至室温，将悬浊液离心获得沉淀，沉淀经有机溶剂反复洗涤，所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的电解液中，恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片。本发明具有反应条件温和、工艺流程简单、能耗低、可规模化生产等优点，所得产品具有孔径分布窄、孔隙率高、比表面积大、批次间重复性好等优势，有望在锂离子电池、超级电容器以及电催化等领域得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 氧化 法制 单层 多孔 羟基 氧化钴 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法，其特征在于：将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150‑220℃下反应3～24h，反应后降至室温，将悬浊液离心获得沉淀，沉淀经有机溶剂反复洗涤，所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的电解液中，恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片。
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