[发明专利]一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法

权利要求书

1.一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法 ，其特征在于：将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150-220℃下反应3~24h，反应后降至室温，将悬浊液离心获得沉淀，沉淀经有机溶剂反复洗涤，所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的电解液中，恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片；其中，有机溶剂为无水乙醇、异丙醇、叔丁醇的一种或几种；

所述将经分散剂分散的钴盐为将按质量比为1:1~3:1的钴盐和分散剂混合后溶解于过量的乙二醇和去离子水的混合液中，充分溶解，待用；其中，钴盐为硫酸钴，硝酸钴，醋酸钴或氯化钴中的一种或几种，分散剂为聚乙烯吡咯烷酮；

所述乙二醇和去离子水按质量比为50:1~20:1的比例混合得混合液；钴盐在混合液中的质量分数为0.6~3.2%；分散剂在混合液中的质量分数为0.2~1.8%；

所述离心转速为6500~9000r/min，时间为5~20 min；干燥温度为30~90℃，干燥时间为1~10 h；

所述恒电流密度下电催化氧化为将所得前驱体滴在碳纸上为工作电极，以碱性溶液作为电解液，于5~50 mA cm^-2的恒电流密度下电催化氧化1~6h，即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片； 所述电解液为氢氧化钾、氢氧化钠或氢氧化锂中的一种或几种混合物，电解液浓度为0.1M~5M。