[发明专利]热优化相变存储器单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201810315878.2 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108630723A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚·博尼亚蒂;安德烈亚·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及热优化相变存储器单元及其制造方法。一种热优化相变存储器单元包含安置于第一电极与第二电极之间的相变材料元件。所述第二电极包含所述第一电极上方的具有第一热阻率的热绝缘区域及内插于所述相变材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，其中金属接触层具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变存储器单元 热优化 热阻 相变材料元件 热绝缘区域 第二电极 第一电极 金属接触区域 金属接触层 内插 制造 安置 申请 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，其包括：第一电极；位于所述第一电极上的硫族化物材料元件；以及位于所述硫族化物材料元件上的第二电极，所述第二电极包括具有第一热阻率的热绝缘区域以及位于所述硫族化物材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，所述金属接触区域具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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