[发明专利]热优化相变存储器单元及其制造方法

说明书

本申请涉及热优化相变存储器单元及其制造方法。一种热优化相变存储器单元包含安置于第一电极与第二电极之间的相变材料元件。所述第二电极包含所述第一电极上方的具有第一热阻率的热绝缘区域及内插于所述相变材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，其中金属接触层具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2014年05月12日、申请号为201480028746.1、发明名称为“热优化相变存储器单元及其制造方法”的发明专利申请案。

技术领域

本文所揭示的标的物大体上涉及集成电路中的装置，且特定来说，涉及并入硫族化物材料的装置。

背景技术

并入相变材料(例如，硫族化物材料)的装置(例如(举例来说)开关及存储元件)可发现于各种电子装置中。举例来说，并入相变材料的装置可用于计算机、数码相机、蜂窝电话、个人数字助理等等中。系统设计者可在针对特定应用来确定是否并入相变材料及并入相变材料的方式时考虑的因素可包含(举例来说)物理大小、存储密度、可延展性、操作电压及电流、读取/写入速度、读取/写入通量、传输速率及/或电力消耗。系统设计者所关注的其它实例因素包含制造成本及/或制造难易性。

发明内容

本申请的一个实施例涉及一种电子装置，其包括：第一电极；位于所述第一电极上的硫族化物材料元件；以及位于所述硫族化物材料元件上的第二电极，所述第二电极包括具有第一热阻率的热绝缘区域以及位于所述硫族化物材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，所述金属接触区域具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。

本申请的另一实施例涉及一种电子装置，其包括：第一电极；位于所述第一电极上的硫族化物材料元件；以及位于所述硫族化物材料元件上的第二电极，所述第二电极包括热绝缘区域以及内插于所述硫族化物材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域。

本申请的又一实施例涉及一种制造电子装置的方法，其包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成硫族化物材料元件；以及在所述硫族化物材料元件上形成第二电极；以及在所述第二电极上形成金属存取线，其中形成所述第二电极包括：在所述硫族化物材料元件上形成金属接触区域；以及在所述金属接触区域上形成包含碳的热绝缘区域，所述热绝缘区域具有第一热阻率，所述第一热阻率大于所述金属接触区域的第二热阻率；其中形成所述第一电极包括：形成包含碳的第二热绝缘区域；以及形成内插于所述硫族化物材料元件和所述第二热绝缘区域之间的第二金属接触区域，所述第二热绝缘区域具有第三热阻率，所述第三热阻率大于所述第二金属接触区域的第四热阻率。

本申请的另一实施例涉及一种制造电子装置的方法，其包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成硫族化物材料元件；在所述硫族化物材料元件上形成第二电极，所述第二电极包括在所述硫族化物材料元件上的金属接触区域以及在所述金属接触区域上包含碳的热绝缘区域，其中所述热绝缘区域具有第一热阻率，并且所述金属接触区域具有比所述第一热阻率低的第二热阻率；以及在所述第二电极上形成存取线并沿第一方向延伸，其中所述存取线和至少所述第二电极具有在与所述第一方向交叉的第二方向上测量的相同标称宽度。

本申请的另一实施例涉及一种制造电子装置的方法，其包括：形成在第一方向上延伸的第一存取线、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二存取线以及垂直内插于所述第一存取线和所述第二存取线之间的硫族化物材料元件；以及形成垂直内插于所述硫族化物材料元件与所述第一存取线之间的电极，其中所述电极包括含碳且具有第一热阻率的热绝缘区域以及内插于所述硫族化物材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，所述金属接触区域具有低于所述第一热阻率的第二热阻率，其中形成所述电极包括图案化和蚀刻以在单个光掩模层级内限定所述电极和所述第一存取线路的至少一个尺寸，使得所述电极和所述第一存取线在所述第二方向上具有相同的第一标称横向尺寸。

附图说明