[发明专利]热优化相变存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

第一电极；

位于所述第一电极上的硫族化物材料元件；以及

位于所述硫族化物材料元件上的第二电极，所述第二电极包括具有第一热阻率的热绝缘区域以及位于所述硫族化物材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域，所述金属接触区域具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述硫族化物材料元件是存储器单元的选择器节点。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述硫族化物材料元件包含相变材料元件，且其中所述热绝缘区域包含碳。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：

与所述热绝缘区域耦合的金属存取线。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述金属存取线安置在所述第二电极上并沿第一方向延伸，并且其中所述金属存取线与至少所述第二电极具有在不同于所述第一方向的第二方向上测得的相同的标称宽度。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述硫族化物材料元件的块状材料的电阻大于所述热绝缘区域的块状材料、所述金属接触区域的块状材料以及所述金属接触区域和所述硫族化物材料元件之间的界面的组合电阻。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：

第一存储器元件；

与所述第一存储器元件相邻的第二存储器元件；以及

位于所述第一存储器元件和所述第二存储器元件之间的侧壁绝缘体。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述侧壁绝缘体包括至少三个侧壁层，所述至少三个侧壁层具有：

交替的材料组合物；或

各自具有不同的材料组合物。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述侧壁绝缘体包括与所述第一存储器元件接触的第一侧壁层以及内插在所述第一侧壁层和所述第二存储器元件之间的第二侧壁层，其中所述第一侧壁层具有与所述第二侧壁层不同的材料组合物。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一侧壁层具有至少一个不同于所述第二侧壁层的原子元素。

11.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一侧壁层或所述第二侧壁层中的一个或多个的材料为氧化物、氮化物或碳化物材料。

12.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一侧壁层的材料选自由SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Al₂O₃、NiO、TiO₂、Ta₂O₅、ThO₂、HfSiO₄、ZrSiO₄、Mg₂SiO₄、MgO、BeO以及镧系元素氧化物组成的群组，并且其中所述第二侧壁层的材料选自由Si₃N₄和SiC组成的群组。

13.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一侧壁层和所述第二侧壁层具有在1nm和10nm之间的标称厚度，并且其中所述第一侧壁层和所述第二侧壁层具有：相同的标称厚度，或

实质上不同的标称厚度。

14.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二热阻率比所述第一热阻率低至少10倍。

15.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：

侧壁绝缘体，其与所述第一电极、所述硫族化物材料元件以及所述第二电极接触，所述侧壁绝缘体包括多个侧壁绝缘层。