[发明专利]一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构

摘要

本发明公开了一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构。超晶格材料是一种多周期交叠生长的量子结构材料，与传统的平面结HgCdTe材料相比，超晶格探测器一般为原位掺杂的台面结构，无法直接通过激光诱导电流的方法测试吸收区的少子扩散长度。本发明公开的结构利用浅台面将PN结区与吸收区进行隔离，使得浅台面处吸收区在无电场作用的情况下产生光生载流子，并通过扩散到电场区被收集，从而可以方便快捷地测试并获得超晶格吸收区的少子横向扩散长度，对超晶格红外探测材料的参数测试及性能表征有重要的意义。

主权项

1.一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构，其具体结构自GaSb(4)衬底向上依次为超晶格P型接触层(1)、超晶格弱P型吸收区(2)、超晶格N型接触区(3)，上电极TiPtAu(5)位于超晶格N型接触层(1)上，下电极TiPtAu(6)位于超晶格P型接触层(1)上，其特征在于：所述的超晶格P型接触层(1)的结构为20‑80周期超晶格，每周期由3‑5nm InAs和2‑4nm GaSb构成，P型掺杂浓度为5×1016‑5×1017cm‑3，平面尺寸大小为50μm×50μm‑200μm×200μm；所述的超晶格弱P型吸收区(2)的结构为100‑800周期超晶格，每周期由3‑5nm InAs和2‑4nm GaSb构成，N型掺杂浓度为1015‑1016cm‑3，台面形成时该层平面尺寸大小为500μm×500μm‑1000μm×1000μm，与超晶格P型接触层(1)形成浅台面；所述的超晶格N型接触区(3)的结构为20‑80周期超晶格，每周期由3‑5nm InAs和2‑4nm GaSb构成，N型掺杂浓度为5×1016‑5×1017cm‑3，平面尺寸大小与超晶格弱P型吸收区(2)相同。