[发明专利]一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构在审

申请号：	201810315001.3	申请日：	2018-04-10
公开（公告）号：	CN108417663A	公开（公告）日：	2018-08-17
发明（设计）人：	周易;陈建新;田源	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L31/109	分类号：	H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0304
代理公司：	上海沪慧律师事务所 31311	代理人：	李秀兰
地址：	200083 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	吸收区少子超晶格材料横向扩散超晶格器件结构台面测量红外探测材料光生载流子测试扩散参数测试电场作用激光诱导量子结构台面结构性能表征原位掺杂传统的电场区多周期平面结探测器交叠隔离生长
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【权利要求书】：

1.一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构，其具体结构自GaSb(4)衬底向上依次为超晶格P型接触层(1)、超晶格弱P型吸收区(2)、超晶格N型接触区(3)，上电极TiPtAu(5)位于超晶格N型接触层(1)上，下电极TiPtAu(6)位于超晶格P型接触层(1)上，其特征在于：

所述的超晶格P型接触层(1)的结构为20-80周期超晶格，每周期由3-5nm InAs和2-4nmGaSb构成，P型掺杂浓度为5×10¹⁶-5×10¹⁷cm^-3，平面尺寸大小为50μm×50μm-200μm×200μm；

所述的超晶格弱P型吸收区(2)的结构为100-800周期超晶格，每周期由3-5nm InAs和2-4nm GaSb构成，N型掺杂浓度为10¹⁵-10¹⁶cm^-3，台面形成时该层平面尺寸大小为500μm×500μm-1000μm×1000μm，与超晶格P型接触层(1)形成浅台面；

所述的超晶格N型接触区(3)的结构为20-80周期超晶格，每周期由3-5nm InAs和2-4nmGaSb构成，N型掺杂浓度为5×10¹⁶-5×10¹⁷cm^-3，平面尺寸大小与超晶格弱P型吸收区(2)相同。

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