[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法，首先确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围，然后再刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，测量所述第一开口底部的截面宽度，并在所述第一开口中填充多晶硅材料；去除所述介质层，形成第二开口；根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度，并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙。由于将不同的闪存单元隔开而形成浮栅时，是以第一侧墙为掩膜而刻蚀所述第一侧墙底部的浮栅层，通过调整所述第一侧墙的截面宽度来调整形成的浮栅的长度，以保证形成的浮栅在其长度范围内，避免器件的性能发生改变。

主权项

1.一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围；提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层；刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底；测量所述第一开口底部的截面宽度，并在所述第一开口中填充多晶硅材料；去除所述介质层，形成第二开口；根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度，并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，去除所述第二开口底部的浮栅层，形成浮栅。