[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法

说明书

本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法，首先确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围，然后再刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，测量所述第一开口底部的截面宽度，并在所述第一开口中填充多晶硅材料；去除所述介质层，形成第二开口；根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度，并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙。由于将不同的闪存单元隔开而形成浮栅时，是以第一侧墙为掩膜而刻蚀所述第一侧墙底部的浮栅层，通过调整所述第一侧墙的截面宽度来调整形成的浮栅的长度，以保证形成的浮栅在其长度范围内，避免器件的性能发生改变。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存单元及半导体结构的制备方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

闪存中的浮栅的长度至关重要，其决定了闪存能够存储电荷量的多少，然而现有的形成闪存的工艺中，浮栅的长度难以控制，导致器件的性能发生改变。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存单元及半导体结构的制备方法，以解决现有技术中浮栅的长度难以控制等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存单元的制备方法，所述闪存单元的制备方法包括：

确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围；

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层；

刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底；

测量所述第一开口底部的截面宽度，并在所述第一开口中填充多晶硅材料；

去除所述介质层，形成第二开口；

根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度，并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，去除所述第二开口底部的浮栅层，形成浮栅。

可选的，所述浮栅的长度范围包括90nm～95nm。

可选的，所述第一开口底部的截面宽度包括60nm～65nm。

可选的，所述第一侧墙的截面宽度包括200埃～1000埃。

可选的，所述浮栅层及所述介质层之间还形成有控制栅层。

可选的，刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底包括：

刻蚀所述介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述控制栅层；

在所述第一沟槽的侧壁形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述控制栅层，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述浮栅层；

在所述第二沟槽及所述第一侧墙的侧壁形成第三侧墙；

以所述第三侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述衬底；

在所述第三沟槽及所述第三侧墙的侧壁形成第四侧墙。

可选的，所述第三沟槽底部的截面宽度等于所述第一开口底部的截面宽度。

可选的，以所述第三侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述衬底包括：

采用各项异性的刻蚀方法刻蚀部分厚度的浮栅层，