[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：

确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围；

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层；

刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底；

测量所述第一开口底部的截面宽度，并在所述第一开口中填充多晶硅材料；

去除所述介质层，形成第二开口；

根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度，并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，去除所述第二开口底部的浮栅层，形成浮栅。

2.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述浮栅的长度范围包括90nm～95nm。

3.如权利要求2所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一开口底部的截面宽度包括60nm～65nm。

4.如权利要求2所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙的截面宽度包括200埃～1000埃。

5.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述浮栅层及所述介质层之间还形成有控制栅层。

6.如权利要求5所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，刻蚀所述介质层及所述浮栅层，形成第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底包括：

刻蚀所述介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述控制栅层；

在所述第一沟槽的侧壁形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述控制栅层，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述浮栅层；

在所述第二沟槽及所述第一侧墙的侧壁形成第三侧墙；

以所述第三侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述衬底；

在所述第三沟槽及所述第三侧墙的侧壁形成第四侧墙。

7.如权利要求6所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第三沟槽底部的截面宽度等于所述第一开口底部的截面宽度。

8.如权利要求6所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，以所述第三侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述衬底包括：

采用各项异性的刻蚀方法刻蚀部分厚度的浮栅层，

采用各项同性的刻蚀方法刻蚀剩余厚度的浮栅层，形成浮栅尖端。

9.如权利要求8所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第一开口中填充多晶硅材料的步骤包括：

形成多晶硅材料层，所述多晶硅材料层覆盖所述介质层并填充所述第三沟槽；

平坦化所述多晶硅材料层，直至露出所述介质层。

10.如权利要求9所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅的步骤包括：

以所述第一侧墙为掩膜，去除所述第二开口底部的浮栅层，形成所述浮栅及第四沟槽；

在所述第四沟槽及所述第一侧墙的侧壁形成第五侧墙。

11.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

12.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，采用如权利要求1-11中任一项所述的闪存单元的制备方法。